【摘 要】
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铌酸锂晶体对于光子学的意义,可比拟于硅材料对于电子学.铌酸锂是电光调控和非线性应用中公认的极好的光子结构候选材料.但在铌酸锂衬底材料上制作光子集成回路却面临着一个
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铌酸锂晶体对于光子学的意义,可比拟于硅材料对于电子学.铌酸锂是电光调控和非线性应用中公认的极好的光子结构候选材料.但在铌酸锂衬底材料上制作光子集成回路却面临着一个非常关键的问题:铌酸锂晶体化学性质稳定、耐腐蚀、难以进行光刻加工,阻碍了铌酸锂光子器件的芯片化和集成化.近年来,随着制备铌酸锂晶体薄膜技术的进步,实现了位于绝缘二氧化硅层上的铌酸锂薄膜(Lithium Niobate On Insulator, LNOI)的制备,将铌酸锂晶体微纳光学元件由三维微加工简化为二维微加工,提高了飞秒微加工等三维微加工技术的工作效率,使光刻等平面加工工艺得以应用于铌酸锂晶体光学器件的制备,有望生产一批更高性能、更低成本的光子新器件.在国家973计划项目“新型高品质微腔中的光子与电子态耦合”(项目编号:2014CB921300)的支持下,项目首席科学家程亚研究团队与浙江大学方伟研究组合作研究了高品质铌酸锂光学微腔的制备及其非线性光学效应,并取得了重要的研究进展.
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