【摘 要】
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据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET。MODFET使用了MBE生长的外延片．MODFET的截面
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据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET。MODFET使用了MBE生长的外延片．MODFET的截面结构和截面照片如图所示。附图MODFET的截面结构（a），截面照片（b）Fig．Structureoffab
According to Japan’s “Applied Physics” No. 2 of 1997, Matsushita Electric Industrial Institute of Integrated Electronics using phase-shift film edge line lithography (PEL) developed 0.15μm T-type GaAsMODFET gate. MODFETs use MBE grown epitaxial wafers. MODFET cross-sectional structure and cross-section photo shown. Figure MODFET section structure (a), section photo (b) Fig. Structureoffab
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