Quantum-Mechanical Study on Surrounding-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

来源 :理论物理通讯：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lxz119110

【摘要】

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<正> As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into thenanometer regime, quantum mechanical effects are becom

【作者】

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胡光喜王伶俐刘冉汤庭鳌仇志军

【机构】

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ASIC＆SystemStateKeyLab

【出处】

：

理论物理通讯：英文版

【发表日期】

：

2010年10期

【关键词】

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金属氧化物半导体场效应晶体管量子力学效应 MOSFET NMOS器件硅氧化物通道长度纳米尺度解析求解 simiconductor devices q

【基金项目】

：

Support of Shanghai Science Foundation under Grant No. 09ZR1402900 and the National Science Foundation of China under Grant No. 60676020, the Project is Supported in part by the Special Funds for Majo

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<正> As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into thenanometer regime, quantum mechanical effects are becoming more and more significant.In this work, a model for thesurrounding-gate (SG) nMOSFET i

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