【摘 要】
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研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对
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研究了用高压低温法制备的硅材料的性能.进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究,获得了最佳的制备条件.用XRD分析了材料的物相;阿基米德法测量了制备材料的密度;对材料的电阻率和硬度进行了测量.结果表明:用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料,其最佳的烧结温度为600℃;样品具有较好的机械强度和硬度,获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料.
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