单片集成MSM/HEMT长波长光接收机

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【摘要】

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本文介绍了利用In GaAs金属-半导体-金属(MSM)长波长光探测器与InAlAs-InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作,

【作者】

：

敖金平曾庆明赵永林李献杰蔡克理刘式墉梁春广

【机构】

：

河北半导体研究所,吉林大学电子工程系

【出处】

：

光电子激光

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

MSM光探测器光电集成光接收机长波

【基金项目】

：

新材料领域项目;

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本文介绍了利用In GaAs金属-半导体-金属(MSM)长波长光探测器与InAlAs-InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题,实现了1.3 Gb/s传输速率的单片集成长波长光接收机样品.

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