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功率RF LDMOS的关键参数研究
功率RF LDMOS的关键参数研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lajiub1987
【摘 要】
:
在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关
【作 者】
:
黄晓兰
吴德馨
张耀辉
李科
王立新
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2006年z1期
【关键词】
:
RF
LDMOS
击穿电压
截止频率
多晶硅氧化
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在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案,以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展,为进一步的研究和探索提供参考.
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