InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

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【摘要】

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研究了用MOCVD方法生长lnGaAlN四元合金材料的生长规律，发现生长温度在800～880℃．其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致

【作者】

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刘祥林董逊黎大兵

【机构】

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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

【出处】

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液晶与显示

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

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铟镓铝氮四元合金光学性质低维结构铟聚集晶格常数禁带宽度量子阱发光二极管时间分辨光谱 InGaAlN growth optical prop

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(No.60136020)

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研究了用MOCVD方法生长lnGaAlN四元合金材料的生长规律，发现生长温度在800～880℃．其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似，但比GaN慢．室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明，在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区——在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区；而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的

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