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采用放射性同位素技术测定了在渗~(14)C过程中~(14)C在不同量室温形变工业纯铁奥氏体中的扩散系数,并对渗层进行自射线照相。结果表明:形变30％能明显增大~(14)C在γ-Fe中的扩散系数,提高渗~(14)C速度;透射电镜分析结果表明形变30 ％能增大材料中的位错密度,促进~(14)C的扩散过程。