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采用第一性原理方法研究了Ni在曲率K1=0．024、K2=0．065、K3=0．105、K4=0．146、K5=0．162和K6=0．186六种不同弯曲程度石墨烯表面的吸附情况和电子结构。研究结果如下：当曲率K4为0.146时，Ni与石墨烯体系结合能最小，此时Ni原子位于C—C键桥位，且C—C键被打断。对差分电荷和Mulliken电荷的分析发现，在负载Ni原子的弯曲石墨烯体系中，Ni失去电子给石墨烯。对体系态密度的研究发现，负载Ni原子的弯曲石墨烯体系费米能级上移，与差分电荷和Mulliken电荷分析结果