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ZnO是一种很有前途的宽带隙半导体材料,在光电器件的应用上,实现高质量的p型掺杂是其关键所在。迄今,已有大量p型掺杂ZnO薄膜的研究报道,但是要获得高质量的可重复的p型ZnO薄膜却十分困难。本文就p型ZnO薄膜的掺杂最新研究进展进行了详细论述,并展望了其制备前景。
p型ZnO薄膜的研究新进展
【摘 要】
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ZnO是一种很有前途的宽带隙半导体材料,在光电器件的应用上,实现高质量的p型掺杂是其关键所在。迄今,已有大量p型掺杂ZnO薄膜的研究报道,但是要获得高质量的可重复的p型ZnO薄
【机 构】
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广东工业大学材料与能源学院
【出 处】
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电工材料
【发表日期】
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2008年2期
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