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报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了 C对Ge 组分的抑制度和Ge/C原子比的关系,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和.
Si基Si1—x—yGexCy合金生长中C的影响
【摘 要】
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报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了 C对Ge 组分的抑制度和Ge/C原子比的关系,并指出在富Ge
【机 构】
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南京大学物理系
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2001年12期
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