底部籽晶法：一种高温溶液晶体生长新方法

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangjm

【摘要】

：

为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做'底部籽晶法'的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加

【作者】

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徐家跃

【机构】

：

中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

籽晶熔融铌酸溶液新型单晶材料新方法晶体生长近化学计量比 LINBO3晶体 bottom seeded solution growthstoich

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为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做'底部籽晶法'的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0<x<0.5).研究表明,底部籽晶法是解决高质量非一致熔融晶体生长问题的一种

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