光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ruocich
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在抗静电放电(ESD)试验后通常会使用IV特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言, 使用这种IV特性扫描可能对电路造成电应力损伤, 导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例, 分析了造成这种现象的原因, 并提出在进行该类光电器件的ESD试验过程中不进行端口IV特性扫描, 以避免由此带来的额外损伤。
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