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以GaAs（100）为衬底，采用原子层外延（ALE）的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层，以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配（14．6％）对外延层质量造成的不利影响，从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示，ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力，降低位错密度。室温和77K的Hall测试显示，引入低温ALE缓冲层生长的InSb／GaAs异质外延薄膜，其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。