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阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
SOI自对准硅化钛工艺研究
【摘 要】
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阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
【机 构】
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辽宁大学,东北微电子研究所
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年3期
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