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采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜，通过对Glass／Si／SiO2／Al叠层结构进行铝诱导晶化（AIC）制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱（XRD）、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析，研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明，采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出（111）高度择优取向的大晶粒尺寸（～100μm）的多晶硅薄膜，但与磁控溅射沉积相比，真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高，且晶化速率更快。