Pb掺杂SnO2压敏电阻的晶粒尺寸效应

来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lyfhua

【摘要】

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研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm

【作者】

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王矜奉陈洪存赵春华高建鲁

【机构】

：

山东大学,滨州师专,济南安太电子研究所

【出处】

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材料研究学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

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无机非金属材料压敏电阻器铅掺杂二氧化锡肖特基势垒 Dielectric properties of solids Doping (additives)

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研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂.晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小.随着Pb含量的增加,SnO2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因

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