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本文讨论分析了半导体超晶的椭偏光学性质，首次采用多入射角椭圆偏振光学方法研究了半导体超晶格结构，实验测量给出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格各子层的厚度，复折射率和组份等基本结构参量。本方法测量简便，，重复性好，，对样品无破坏作用，可作为半导体晶格结构的一种有效的表征手段。
用椭偏光学方法研究GexSi1—x／Si超晶格结构
【摘 要】
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本文讨论分析了半导体超晶的椭偏光学性质，首次采用多入射角椭圆偏振光学方法研究了半导体超晶格结构，实验测量给出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格各子层的厚度，复折射率和组份等基本结构参量。本方法
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系南京210008,南京210008,南京210008
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年10期
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