【摘 要】
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近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,中国电子科技集团公司第五十八研究所,西安电子科技大学微电子学院 西安710071,中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡214035,无锡214035,西安 710071
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近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V0.5μmn-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23 ~25V,p管击穿BVdssp>19V.
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