论文部分内容阅读
以对ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ１－ｙＳｂｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ－０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ－３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。