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采用光加热悬浮区熔法制备了（Mo0.85Nb0．15）Si2单晶体，研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明：采用此法可制备出表面无裂纹的（Mo0.85Nb0．15）Si2单晶体，其尺寸可达庐8mm×90mm，晶体的生长面接近（0001）面，生长形态符合布拉维法则、周期键链（PBC）理论和小面生长理论。