【摘 要】
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SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试验。MOSFET具有三种导通模式,分别对应三种不
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）,华电（烟台）功率半导体技术研究院有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(52007061)
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SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试验。MOSFET具有三种导通模式,分别对应三种不同的功率循环测试方法。为探究和对比SiC MOSFET在不同老化试验方法下的失效机理和失效表征参数的变化规律,对其在不同导通模式下进行功率循环试验,基于不同导通模式下的特性分析,重点对比正向MOSFET模式和体二极管模式。SiC MOSFET中的界面陷阱会造成阈值电压漂移,为此提出一种判断准则以及相应的功率循环试验方法,可以将阈
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