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采用RCA方法与Piranha溶液处理相结合,对单晶硅表面超声腐蚀处理,接触角、原子力显微镜(AFM)表征结果显示获得了平整高羟基密度的氧化物表面.采用水相硅烷化,将3-氨基丙基-三甲氧基硅烷(APS)组装在湿化学法处理的单晶硅表面上,AFM和X-射线光电子能谱(XPS)研究表明得到了平整均匀的氨基自组装膜.