【摘 要】
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本文叙述可以通过单晶材料,特别是外延生长的半导体单晶薄膜材料的X射线衍射峰的半宽度,定性地判断它们的晶体质量的优劣。测量了GaAs、InP、GaP、Insb等化合物半导体单晶,以
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本文叙述可以通过单晶材料,特别是外延生长的半导体单晶薄膜材料的X射线衍射峰的半宽度,定性地判断它们的晶体质量的优劣。测量了GaAs、InP、GaP、Insb等化合物半导体单晶,以及以它们为衬底外延生长的单晶薄膜的半宽度,对测量结果和有关问题进行了讨论。
This paper describes the half-widths of the X-ray diffraction peaks of single crystal materials, especially epitaxial growth of semiconductor single crystal thin films, qualitatively judging their crystal quality. The half-widths of single-crystal thin films such as GaAs, InP, GaP, Insb, and other single-crystal thin films epitaxially grown on these substrates were measured and the measurement results and related problems were discussed.
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