【摘 要】
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等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多报道,但至今并无明确的结论.文中根据传统的S
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等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多报道,但至今并无明确的结论.文中根据传统的SiH4辉光放电分解(CPECVD)制备HQ a-Si:H必须满足三个基本的化学物理要求,已经导出Pdn/f,(1＜n＜2)的一个解析表示式,它是SiH4气压/SiH4流速率比(Pr/fr)、电极间距(D)、Pd和n的函数,而且还受到衬底温度(Ts)的限制.这表示,在CPECVD工艺中不存在独立的Pd/fr匹配问
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