【摘 要】
：
一、E/D NMOS电路 1.门电路 ①与非门、或非门和组合门 通过在E/D NMOS反相器中并联上附加的工作管便形成E/D NMOS的或非门,如图2—20(a)所示(管子上标有三角者为D管)。由于
论文部分内容阅读
一、E/D NMOS电路 1.门电路 ①与非门、或非门和组合门 通过在E/D NMOS反相器中并联上附加的工作管便形成E/D NMOS的或非门,如图2—20(a)所示(管子上标有三角者为D管)。由于当只有一个输入为高时其输出必须达到V_(oL),所以各个工作管的W/L必须相同。当然,当有几个输入同时为高时其V_(oL)更低。
First, the E / D NMOS circuit 1. Gate circuit ① NAND gate, NOR gate and the combination of the gate in the E / D NMOS inverter in parallel with the additional work of the tube will form E / D NMOS NOR gate, such as Figure 2-20 (a) shows (the pipe is marked with a triangle D pipe). Since the output must reach V_ (oL) when only one input is high, the W / L of each working tube must be the same. Of course, V_ (oL) is lower when several inputs are high at the same time.
其他文献
本文报导了蒙脱石、高岭石和有机质胡敏酸以及浙江省有代表性的小粉土、海涂土、青紫泥对三环唑的吸附、解吸和pH值的影响,试验结果表明,它们的吸附都符合Freundlich等温吸附
当前,各国小型计算机和微型计算机的发展十分迅速,研制工作成果累累,商品市场竞争激烈,应用系统日新月异。笔者对某些情报资料进行了粗略分析,又于1985年1月有机会到美、日
2006年11月9日,瑞士日内瓦。来自中国香港特区、现任世界卫生组织助理总干事的陈冯富珍,经世界卫生大会审议并投票批准,正式当选为世界卫生组织下任总干事。激烈竞争中脱颖而
扁平封装集成电路器件结构是由衬底和盖以胶粘结之,芯片装于衬底上,如图一所示。由于结到衬底的热阻比结到盖的热阻小,那么是正装的结温高,还是反装的结温高?加散热片后效果
本文介绍了巴西推行电子发票及税收管理的情况,针对我国目前在发票管理使用以及相关的税收信息共享、纳税信用建设、征管体制机制等方面存在的一些突出问题,探讨了深化我国征
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
我国是目前世界上生产氯化铵最多的国家,年产在百万吨以上。随着氯化铵及其它含氯化肥(氯化钾、氯磷铵复合肥等)在农业生产中的大量应用,使大量的氯离子进入环境,参与土壤—
按：８月下旬和９月下旬，驻工商总局纪检组、监察局分别在山西省太原市和辽宁省沈阳市召开了华北、东北地区工商行政管理系统纪检监察工作座谈会。国家工商总局党组成员、中央纪委驻
目的 :探讨小切口非超声乳化人工晶体植入手术疗效。方法 :对 10 0例 12 0眼行小切口非超声乳化人工晶体植入术 ,设常规切口组 ,超声乳化组为对照组 ,对手术后视力和角膜曲率
患者女 ,57岁 ,于 1995年 9月 4日在看电视时 ,自觉鼻根部酸胀不适 ,视物不清 ,立即来院就诊。查 :ＶＤ0 15,ＶＳ0 15,双眼眼压 6 6 3ＫＰａ (1ＫＰａ =7 5ｍｍＨｇ) ,印诊为青光眼。给予 2 5%甘露醇注