【摘 要】
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用微波场效应晶体管和砷化镓超突变结变容二极管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐速度快,线性好,电路效率高,而且供电简单.使用南京电子器件研究所研制的场效应晶
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用微波场效应晶体管和砷化镓超突变结变容二极管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐速度快,线性好,电路效率高,而且供电简单.使用南京电子器件研究所研制的场效应晶体管(WC59)和砷化镓电调变容二极管(WB62)制成的具有粗细调谐能力的FET VCO,粗调频率在C波段电调带宽600MHz,电调灵敏度的最大最小变化比小于
Voltage-controlled oscillator (referred to as FET VCO) composed of microwave field-effect transistor and gallium arsenide super-mutant junction variable-capacitance diode has the advantages of fast tuning speed, good linearity, high circuit efficiency and simple power supply, and is developed by Nanjing Institute of Electronic Devices The FET VCO with coarse and fine tunability made of field-effect transistor (WC59) and Gallium Arsenide (PBG) has a rough tuning frequency of 600MHz in the C band, and the minimum and minimum change ratio of the sensitivity is less than
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