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利用高频感应加热化学气相沉积（HFCVD）工艺，以H2稀释的SiH4作为反应气体源，分别在n-（111）Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上，制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）等检测手段，测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征。结果表明，多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关，而且强烈依赖于衬底的表面状态。本实验获得的最好的薄