半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caoshaohua2009

【摘要】

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我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸

【作者】

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王桂芬马根源张光寅

【机构】

：

南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1987年04期

【关键词】

：

光声信号光吸收材料表面光声法半导体材料

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我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.

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期刊

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