【摘 要】
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采用快速脉冲技术,研制了GaAsMESFET热特性测试仪,并测量、分析了GaAsMESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法,可在器件正常工作条件下,快速、非破坏性地测量分析器件的
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,电子工业部第十三研究所
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采用快速脉冲技术,研制了GaAsMESFET热特性测试仪,并测量、分析了GaAsMESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法,可在器件正常工作条件下,快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。
GaAsMESFET thermal characteristics tester was developed by using rapid pulse technique. The GaAsMESFET cold response curve, temperature rise, steady-state thermal resistance, transient thermal resistance and thermal response curve were measured and analyzed. Using this method, the thermal resistance of the device’s chip, bond, and each part of the package can be quickly and non-destructively measured under normal device operating conditions.
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