【摘 要】
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采用0.8 μm标准数字CMOS工艺(ⅤTNO=0.836 Ⅴ,ⅤTPO=0.930 Ⅴ),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6 Ⅴ),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运
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采用0.8 μm标准数字CMOS工艺(ⅤTNO=0.836 Ⅴ,ⅤTPO=0.930 Ⅴ),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6 Ⅴ),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器.该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点.对于相同的负载情况,在3 Ⅴ的工作电压下,开环电压增益AD=83.1 dB,单位增益带宽GB=2.4 MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0 dB,转换速率Sr=2.2 Ⅴ/μs;在6 Ⅴ
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