【摘 要】
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随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有
【机 构】
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哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
【出 处】
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2007年激光技术发展与应用学术交流会
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随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。
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