【摘 要】
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采用热压烧结法制备出 Ｗ－纳米 ＴｈＯ２新型阴极材料，研究了材料的电学性能该阴极材 料的临界起弧电压比传统材料降低 ２０％；引弧较为容易和平稳，其电弧静特性曲线下降，电子发射能力增 强。
A n
【机 构】
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西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学,西安交通大学,西安交通大学
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采用热压烧结法制备出 Ｗ－纳米 ＴｈＯ２新型阴极材料，研究了材料的电学性能该阴极材 料的临界起弧电压比传统材料降低 ２０％；引弧较为容易和平稳，其电弧静特性曲线下降，电子发射能力增 强。
A novel cathode material of W-nano ThO2 was prepared by hot-pressing sintering method. The critical arc-striking voltage of the cathode material was reduced by 20% compared with that of the conventional material. The arc ignition was easy and stable, the arc static characteristic curve decreased, Electron emission enhancement.
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