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当前硅基浮栅存储器已经无法满足超高密度存储的性能要求,器件结构尺寸难以进一步缩小,同时现代信息技术的发展对器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人员对于新型非易失性半导体存储器技术的研发成为热点。文章介绍了纳米晶存储器的改进方案,探讨了提升存储器件性能的方法。
非易失性纳米晶存储技术研究
【摘 要】
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当前硅基浮栅存储器已经无法满足超高密度存储的性能要求,器件结构尺寸难以进一步缩小,同时现代信息技术的发展对器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心
【出 处】
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科技视界
【发表日期】
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2019年14期
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