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综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究，叙述了微缺陷（下称ＭＤ）对硅雪崩光电探测器（Ｓｉ－ＡＰＤ）性能的影响和消除措施，介绍了目前已有的检测方法，最后进行了讨论。
雪崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨
【摘 要】
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综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究，叙述了微缺陷（下称ＭＤ）对硅雪崩光电探测器（Ｓｉ－ＡＰＤ）性能的影响和消除措施，介绍了目前已有的检测方法，最后进行了讨论。
【机 构】
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西南技术物理研究所光电探测材料实验室
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1995年1期
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