【摘 要】
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采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响.本次模拟选择的人射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV.模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积
【机 构】
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贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵州大学理学院,辐射物理及技术教育部重点实验室,荷兰皇家科学院等离子体所
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采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响.本次模拟选择的人射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV.模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积率有密切的关系.沉积的Si和表面形成一层Si,Fy薄膜.随入射能量的增加,薄膜厚度先增加后减小,薄膜中Si-Si键密度增大.构成薄膜的主要成分SiFx(x=1~4)中主要是SiF和SiF2,随入射能量的增加,薄膜成分由SiF2向SiF转变.
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