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,Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers
【作 者】
:
【机 构】
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Institute of Opto-electronic Materials and Technology,South China Normal University,Guangzhou 510631
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2012年11期
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