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系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度下观测到了InGaAs的发光峰.