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用LPMOCVD方法在P—Si（111）衬底上异质外延生长SiC，用碳化方法生长出具有单晶结构的3C—SiC薄膜，研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响．结果表明，在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解，不能形成很好的过渡层；碳化时丙烷流量过大会造成碳污染，碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低．最佳的碳化条件为：开始碳化温度1150℃，碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8min和2sccm．