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时域有限差分（FDTD）法计算表明，在常规的水平半导体／空气分布布喇格反射器（DBR）设计中为了得到高反射率，DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜，反射率将下降到30％左右，然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法，采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致，根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。