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联华电子日前宣布，已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存（eFlash）工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比（SNR）。与业界所提供的其它高压选项（例如18V、24V或32V）相比，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0．11微米与0．18微米工艺上提供给客户使用。