【摘 要】
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本文在GaAs/GaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaAs/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH3)·H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速、可控制、重复性好的可全部可局部去除衬底的腐
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本文在GaAs/GaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaAs/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH3)·H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速、可控制、重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。在国内首次获得了GaAs/GaAlAs较大面积的外延层薄膜。
Based on the selective etching of GaAs / GaAlAs, the etching process of GaAs / GaAlAs epitaxial layer was performed to etch the GaAs substrate. In the end, the selective etching solution of C3H4 (OH) (COOH3) · H2O-H2O2 and the etching solution of H2SO4-H2O2 were selected to obtain a fast, controlled and repeatable etching method which can partially remove the substrate locally. For the first time in China, a large area of GaAs / GaAlAs epitaxial film was obtained.
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