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负温偏不稳定性是ＭＯＳ顺件最重要的可靠问题之一。本文实验上发现ＭＯＳＦＥＴ的Ａ／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。
用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性
【摘 要】
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负温偏不稳定性是ＭＯＳ顺件最重要的可靠问题之一。本文实验上发现ＭＯＳＦＥＴ的Ａ／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,中国科学院西安光学精密机械研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年5期
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