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优化有机晶体的生长工艺是获得性能优良的有机场效应管(OFET)的重要基础.以热氧化后的硅片为衬底,用真空蒸镀的方法制备了有机半导体材料并五苯薄膜,通过X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析,讨论了薄膜制备过程中的诸多因素对晶体生长的影响.
有机半导体材料并五苯薄膜的生长
【摘 要】
：
优化有机晶体的生长工艺是获得性能优良的有机场效应管(OFET)的重要基础.以热氧化后的硅片为衬底,用真空蒸镀的方法制备了有机半导体材料并五苯薄膜,通过X射线衍射和原子力显
【机 构】
：
东南大学先进光子学中心
【出 处】
：
电子器件
【发表日期】
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2005年1期
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