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面向片上系统的无片外电容CMOS低压差稳压器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lijie041132

【摘 要】

：

提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润

【作 者】

：

韩鹏 王志功 徐勇 李伟 

【机 构】

：

东南大学射频与光电集成电路研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年8期

【关键词】

：

低压差稳压器 极点分离 零极点抵消 无片外电容 low-dropout regulator pole splitting pole-zero cancellin 

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（批准号：90707005）

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提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5μm CMOS工艺进行了流片.芯片核心区域（不包括焊盘）尺寸为600μm×480μm.输入电压变化造成的输出电压变化偏差在±0.21%以内.静态电流为39.8μA.10kHz处的电源抑制比为-34dB.100Hz和100kHz处的输出噪声电流谱密度分别为1.65和0.89μV/Hz~（1/2）.

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