基于0.18μm BiCMOS工艺的2GS/s采保放大器

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【摘要】

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基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构.增加了前馈电容,以消除保

【作者】

：

张翼刘中华郭宇锋孟桥李晓鹏张有涛

【机构】

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射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京210023;毫米波国家重点实验室,南京210096;南京邮电大学电子与光学工程学院/微电子学院,南京210023;江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站,江

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2018年4期

【关键词】

：

采保放大器开关射极跟随前馈电容 BiCMOS

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基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构.增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通.后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7 dB,核心电路的功耗为29.2 mW,时钟缓冲电路的功耗为7 mW.该采保放大器的性能良好.

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