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本文基于最近几年发现的新效应和创新设计,综合评述了4H-SiC功率器件：MOSFET、IGBT、SiCGT和PiN二极管的最新研发进展,包括研发过程遇到的主要技术难题,器件特性和初步应用。实验初步验证,SiC功率器件具有高效节能和实现高功率密度的能力。
碳化硅功率器件及其应用的最新研发进展
【摘 要】
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本文基于最近几年发现的新效应和创新设计,综合评述了4H-SiC功率器件：MOSFET、IGBT、SiCGT和PiN二极管的最新研发进展,包括研发过程遇到的主要技术难题,器件特性和初步应用。
【机 构】
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《电力电子》编辑部
【出 处】
：
电力电子
【发表日期】
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2007年4期
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