用质量分离的低能离子束外延法生长β—FeSi2半导体...

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【摘要】

：

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;

【作者】

：

姚振钰秦复光

【机构】

：

InstofSemiconductors

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1992年8期

【关键词】

：

离子束外延法 FeSi2 半导体薄膜 Epitaxial growth Spectroscopic analysis

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采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.

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