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【摘 要】
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设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻
【机 构】
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中央民族大学物理与电子工程学院,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100081,
【出 处】
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光电子.激光
【发表日期】
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2007年11期
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