论文部分内容阅读
在电子封装用的ＡｌＮ陶瓷多晶衬底上生长２５０ｎｍ的Ｔｉ膜，并进行快速退火。用ＲＢＳ（卢瑟福背散剂）、ＡＥＳ（俄歇有谱）、ＳＩＭＳ（干净人离子质谱）ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ｔｉ／ＡｌＮ粘附力的影响。实验结果表明：快速退火时，Ｔｉ，Ａｌ，Ｎ以及ＡｌＮ中掺杂的Ｏ均发生明显的界面扩散和界面反应，样品表面的Ｏ和ＡｌＮ衬底中掺杂的Ｏ都向Ｔｉ膜中扩散，在较低